• IPB64N25S3-20 MOSFET de canal N IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montaje de superficie PG-TO263-3-2
IPB64N25S3-20 MOSFET de canal N IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montaje de superficie PG-TO263-3-2

IPB64N25S3-20 MOSFET de canal N IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montaje de superficie PG-TO263-3-2

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo de FET: N-canal Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 250 V Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 10 V Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id: 4V @ 270μA Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: Las partidas de los demás componentes
Alta luz:

Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

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El IC de MOSFET IPB64N25S3-20

,

IC MOSFET de canal N

Descripción de producto

IPB64N25S3-20 Canal N 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montaje de superficie PG-TO263-3-2

 

Especificaciones de Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  FET, MOSFET
  FET y MOSFET individuales
El Sr. Tecnologías Infineon
Serie OptiMOSTM
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tipo de FET N-canal
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id 4V @ 270μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs Las partidas de los demás componentes
Vgs (máximo) ± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 7 000 pF @ 25 V
Característica del FET -
Disposición de energía (máximo) El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
Número del producto de base Se aplicará a los productos de la categoría II.

 
Características del Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.


• N-canal - Modo de mejora
• Calificado AEC
• MSL1 hasta 260°C de reflujo máximo
• Temperatura de funcionamiento de 175°C
 

 


 
Las aplicaciones de Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

 

• Productos ecológicos (compatibles con la Directiva RoHS)
• 100% de pruebas de Avalanche

 

 

Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

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Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. IPB64N25S3-20 MOSFET de canal N IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montaje de superficie PG-TO263-3-2 ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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