• CY7C185-20PC SRAM - Memoria asíncrona IC de 64 Kbit paralelo 20 ns 28-PDIP
CY7C185-20PC SRAM - Memoria asíncrona IC de 64 Kbit paralelo 20 ns 28-PDIP

CY7C185-20PC SRAM - Memoria asíncrona IC de 64 Kbit paralelo 20 ns 28-PDIP

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se aplicará a las máquinas de la categoría M3

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo de memoria: Las sustancias Formato de memoria: La SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria: 64Kbit
Organización de la memoria: 8K x 8 Interfaz de memoria: En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: 20ns Tiempo de acceso: 20 ns
Voltagem - Suministro: 4.5V ~ 5.5V Temperatura de funcionamiento: 0 °C ~ 70 °C (TA)

Descripción de producto

CY7C185-20PC SRAM - Memoria asíncrona IC de 64 Kbit paralelo 20 ns 28-PDIP

 

Especificaciones de Se aplicará a las máquinas de la categoría M3

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Circuitos integrados (CI)
  Memoria
  Memoria
El Sr. Tecnologías Infineon
Serie -
Paquete El tubo
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria La SRAM
Tecnología La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Tamaño de la memoria 64Kbit
Organización de la memoria 8K x 8
Interfaz de memoria En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página 20 días
Tiempo de acceso 20 ns
Voltagem - Suministro 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje A través del agujero
Envase / estuche 28 DIP (0,300" y 7,62 mm)
Paquete de dispositivos del proveedor 28-PDIP
Número del producto de base El número de unidades de producción

 
Características del Se aplicará a las máquinas de la categoría M3


• Alta velocidad
¢ 15 ns
• TDOE rápido
• Baja potencia activa
715 mW
• Baja potencia de espera
¥ 220 mW
• CMOS para una velocidad/potencia óptima
• Fácil expansión de la memoria con características CE1, CE2 y OE
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Apagado automático si se desactiva la opción

 

 


Las aplicaciones de Se aplicará a las máquinas de la categoría M3


El CY7C185 es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 8192 palabras por 8 bits.

 

 

Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará a las máquinas de la categoría M3

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS No conforme con la Directiva RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8542.32.0041

 

 CY7C185-20PC SRAM - Memoria asíncrona IC de 64 Kbit paralelo 20 ns 28-PDIP 0

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. CY7C185-20PC SRAM - Memoria asíncrona IC de 64 Kbit paralelo 20 ns 28-PDIP ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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