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IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Memoria asíncrona IC de 4Mbit paralelo a 12 Ns 44-TSOP II
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | Se aplicará el método siguiente: |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Tipo de memoria: | Las sustancias | Formato de memoria: | La SRAM |
|---|---|---|---|
| SRAM - Asincrónico: | SRAM - Asincrónico | Tamaño de la memoria: | 4Mbit |
| Organización de la memoria: | 256K x 16 | Interfaz de memoria: | En paralelo |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: | 12ns | Voltagem - Suministro: | 3.135V ~ 3.6V |
| Alta luz: | Se aplicará el método siguiente:,IS64LV25616AL-12TLA3 IC de memoria asíncrona,SRAM - IC de memoria asíncrona |
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Descripción de producto
IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo a 12 ns 44-TSOP II
Especificaciones de Se aplicará el método siguiente:
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Circuitos integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| El Sr. | ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc. |
| Serie | - |
| Paquete | Envases |
| Tipo de memoria | Las sustancias |
| Formato de memoria | La SRAM |
| Tecnología | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
| Tamaño de la memoria | 4Mbit |
| Organización de la memoria | 256K x 16 |
| Interfaz de memoria | En paralelo |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | 12 días |
| Tiempo de acceso | 12 ns |
| Voltagem - Suministro | 3.135V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 44-TSOP II |
| Número del producto de base | Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa. |
Característicasde lasSe aplicará el método siguiente:
• Tiempo de acceso a alta velocidad: 10, 12 ns
• Función de bajo consumo CMOS
• Baja potencia de espera: Menos de 5 mA (típico) CMOS en espera
• Niveles de interfaz compatibles con TTL
• Fuente de alimentación única de 3,3 V
• Funcionamiento totalmente estático: no se requiere reloj ni actualización
• Productos de los tres Estados
• Control de datos para bytes superiores e inferiores
• Temperatura industrial disponible
• Ofertas de temperatura:
-Opción A1: ∼40 oC a +85 oC
-Opción A2: 40oC a + 105oC
-Opción A3: 40oC a + 125oC
• Disponible sin plomo
Las aplicaciones deSe aplicará el método siguiente:
El ISSI IS64LV25616AL es un sistema de alta velocidad, 4,194RAM estática de 304 bits organizada como 262.144 palabras por 16 bits.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el método siguiente:
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | 3A991B2A. |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
