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Señal del canal dual del canal N 2 del MOSFET de IC del transistor DMN5L06DWK7 pequeña
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | Original |
| Certificación: | Original |
| Número de modelo: | DMN5L06DWK7 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | USD |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Montaje de estilo:: | SMD/SMT | Polaridad del transistor:: | Canal N |
|---|---|---|---|
| Empaquetado:: | Corte la cinta | Paquete/caso:: | SOT-363-6 |
| Número de canales:: | Canal 2 | Tipo de producto:: | MOSFET |
| Alta luz: | Transistor IC DMN5L06DWK7,Canal dual del canal N 2 del MOSFET,Pequeño transistor IC de la señal |
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Descripción de producto
Señal del canal dual del canal N 2 del MOSFET de IC del transistor DMN5L06DWK7 pequeña
Señales del canal dual del canal N 2 del MOSFET del chip CI del transistor DMN5L06DWK7 pequeñas
Características de DMN5L06DWK7
MOSFET dual del canal N del
En-resistencia baja del (1.0V máximos)
voltaje bajo mismo del umbral de la puerta del
capacitancia entrada baja del
velocidad que cambia rápida del
salida baja de la entrada-salida del
Ultra-pequeño paquete superficial del soporte del
el ESD protegió hasta 2kV
totalmente sin plomo y completamente RoHS obediente (notas 1 y 2)
halógeno y antimonio del libres. Dispositivo “verde” (nota 3)
el calificó a los estándares AEC-Q101 para alto Reliabilit
Datos mecánicos de DMN5L06DWK7
| Caso | SOT363 |
| Material del caso | Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0 |
| Sensibilidad de humedad | Llano 1 por J-STD-020 |
| Conexiones terminales | Vea el diagrama |
| Terminales | Final – Matte Tin Annealed sobre la aleación 42 Leadframe. Solderable por MIL-STD-202, método 208 |
| Peso | 0,006 gramos (de aproximado) |
Cualidades de producto de DMN5L06DWK7
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Configuración
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Canal N 2 (dual)
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Característica del FET
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Puerta del nivel de la lógica
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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50V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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305mA
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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2Ohm @ 50mA, 5V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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-
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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50pF @ 25V
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Poder - máximo
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250mW
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Temperatura de funcionamiento
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-65°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete/caso
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-363
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Número bajo del producto
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DMN5L06
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En almacén.
