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IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Chip N Canal PG-TO252-3-901 DPAK 75V 42A
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | Original |
| Certificación: | Original |
| Número de modelo: | IRFR2607ZTRPBF |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Tipo del FET: | Canal N | Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 75 V |
|---|---|---|---|
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 42A (Tc) | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 22mOhm @ 30A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 50µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 51 nC @ 10 V |
| Alta luz: | IRFR2607ZTRPBF,chip IC de transistor de 75 V 42 A,canal N IRFR2607ZTRPBF |
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Descripción de producto
IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Chip N-Channel 75 V 42A PG-TO252-3-901|DPAK
Características de IRFR2607ZTRPBF
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjamx
Sin plomo
Atributos del productodeIRFR2607ZTRPBF
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Producto
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IRFR2607ZTRPBF
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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75 V
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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42A (Tc)
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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22mOhm @ 30A, 10V
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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4V @ 50µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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51 nC a 10 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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1440 pF a 25 V
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Función FET
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-
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo del proveedor
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PG-TO252-3-901|DPAK
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Paquete / Caja
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TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63
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Número de producto base
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IRFR2607
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Clasificaciones ambientales y de exportación de IRFR2607ZTRPBF
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
Descripción deIRFR2607ZTRPBF
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr niveles extremadamente bajos
resistencia por área de silicio.Las características adicionales de este diseño son una unión de 175°C que opera
temperatura, velocidad de conmutación rápida y clasificación de avalancha repetitiva mejorada.Estas características se combinan
para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
