• Canal N del chip CI 40V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 del transistor de BUK9Y14-40B 115
Canal N del chip CI 40V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 del transistor de BUK9Y14-40B 115

Canal N del chip CI 40V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 del transistor de BUK9Y14-40B 115

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: Original
Certificación: Original
Número de modelo: BUK9Y14-40B, 115

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 40 V Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Vgs (máximo): ±15V
Alta luz:

Transistor IC de BUK9Y14-40B 115

,

chip CI del transistor de 40V 56A

,

LFPAK56 Power-SO8

Descripción de producto

Canal N 40 V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 del chip CI del transistor de BUK9Y14-40B 115

 

Características de BUK9Y14-40B

 

Pérdidas bajas de la conducción del „ debido al punto bajo
resistencia del en-estado
„ Q101 obediente
„ conveniente para la impulsión de la puerta del nivel de la lógica
fuentes
„ conveniente para termalmente exigir
ambientes debido al grado de 175 °C

 

 

Cualidades de producto de BUK9Y14-40B

 

Producto
 
BUK9Y14-40B, 115
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
56A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±15V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1800 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete/caso
SC-100, SOT-669
Número bajo del producto
BUK9Y14

 

Uso de BUK9Y14-40B

 

Airbag del „

Sistemas automotrices del ABS del „
Control de transmisión automotriz del „

Sistemas de inyección diesel del „
El „ gasolina el surtidor y la inyección

Motores, lámparas y solenoides del „

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de BUK9Y14-40B
CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

 

Canal N del chip CI 40V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 del transistor de BUK9Y14-40B 115 0

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Canal N del chip CI 40V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 del transistor de BUK9Y14-40B 115 ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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