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Canal N 40V 25A 49A 2.5W 104W del chip CI del transistor de 8-PQFN FDMS8460
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | Original |
| Certificación: | Original |
| Número de modelo: | FDMS8460 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 40 V | Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 25A (TA), 49A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 2.2mOhm @ 25A, 10V |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 110 nC @ 10 V | Vgs (máximo): | ±20V |
| Alta luz: | 8-PQFN FDMS8460,Chip CI del transistor FDMS8460,Canal N 40V 25A del chip CI |
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Descripción de producto
FDMS8460 canal N 40 V 25A 49A 2.5W 104W 8-PQFN (5x6) del chip CI del transistor
Características de FDMS8460
• RDS máximo (encendido) = 2,2 m en VGS = 10 V, identificación = 25 A
• RDS máximo (encendido) = 3,0 m en VGS = 4,5 V, identificación = 21,7 A
• Combinación avanzada del paquete y del silicio para el rDS bajo (encendido)
• Diseño de paquete robusto MSL1
• El 100% UIL probó
• RoHS obediente
Cualidades de producto de FDMS8460
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Producto
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FDMS8460
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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40 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
|
25A (TA), 49A (Tc)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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2.2mOhm @ 25A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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110 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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7205 PF @ 20 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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2.5W (TA), 104W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-PQFN (5x6)
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Paquete/caso
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8-PowerTDFN
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Número bajo del producto
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FDMS84
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Usos de FDMS8460
Conversión de DC−DC
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Descripción general de FDMS8460
Este MOSFET de N−Channel es el usar producido EN el proceso avanzado del POWERTRENCH® del semiconductor que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del on−state pero mantener funcionamiento que cambia superior.
