Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N
Datos del producto:
Lugar de origen: | original |
Nombre de la marca: | Original |
Certificación: | Original |
Número de modelo: | FDN335N |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
Tiempo de entrega: | días 1-3working |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 100.000 |
Información detallada |
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Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N: | 20 V | Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 1.7A (TA) |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 3,5 nC @ 4,5 V | Vgs (máximo): | ±8V |
Alta luz: | Chip CI del transistor de FDN335N,1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic,chip CI del transistor de 20V 1.7A |
Descripción de producto
Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N
Características de FDN335N
●MOSFET del poder de TrenchFET
●Diseño de alta densidad de la célula de la cena
Cualidades de producto de FDN335N
Producto
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FDN335N
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Tipo del FET
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P-canal
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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20 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
|
1.7A (TA)
|
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
|
2.5V, 4.5V
|
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
|
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
|
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
|
1.5V @ 250µA
|
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
|
3,5 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
|
±8V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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310 PF @ 10 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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1W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23
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Paquete/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Clasificaciones ambientales y de la exportación de FDN335N
CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
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Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Uso de FDN335N
Protección de la batería del ※
El ※ carga el interruptor
Gestión de la batería del ※
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