• Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N
Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N

Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: Original
Certificación: Original
Número de modelo: FDN335N

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100.000
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Información detallada

Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N: 20 V Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 1.7A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 3,5 nC @ 4,5 V Vgs (máximo): ±8V
Alta luz:

Chip CI del transistor de FDN335N

,

1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic

,

chip CI del transistor de 20V 1.7A

Descripción de producto

Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N

 

Características de FDN335N

 

MOSFET del poder de TrenchFET
●Diseño de alta densidad de la célula de la cena

 

Cualidades de producto de FDN335N

 

Producto
FDN335N
Tipo del FET
P-canal
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
1.7A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
3,5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
310 PF @ 10 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
1W (TA)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23
Paquete/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de FDN335N
CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Uso de FDN335N

 

Protección de la batería del ※
El ※ carga el interruptor
Gestión de la batería del ※

 

Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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