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Paquete del canal 30V 1.5A 500mW Sot23 3 del circuito integrado P del transistor de FDN358P
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | Original |
| Certificación: | Original |
| Número de modelo: | FDN358P |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N: | 30 V | Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 1.5A (TA) |
|---|---|---|---|
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 125mOhm @ 1.5A, 10V |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 5,6 nC @ 10 V | Vgs (máximo): | ±20V |
| Alta luz: | Canal FDN358P de P,FDN358P 30V 1.5A,Circuito integrado del transistor del paquete Sot23 3 |
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Descripción de producto
Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN358P
Soporte SOT-23-3 de la superficie 500mW (TA) del P-canal 30 V 1.5A (TA) de FDN358P
Características de FDN358P
– 1,5 A, – 30 mΩ del V. RDS (ENCENDIDO) = 125 @ VGS = – 10 mΩ de V RDS (ENCENDIDO) = 200 @ VGS = – 4,5 V
• Carga baja de la puerta (4 nC típicos)
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO).
• Versión del poder más elevado del paquete del estándar industrial SOT-23. Perno-hacia fuera idéntico a SOT-23 con la mayor potencia del 30% que maneja capacidad.
Cualidades de producto de FDN358P
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Producto
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FDN358P
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Tipo del FET
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P-canal
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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30 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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1.5A (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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125mOhm @ 1.5A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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5,6 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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182 PF @ 15 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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500mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3
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Paquete/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número bajo del producto
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FDN358
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Clasificaciones ambientales y de la exportación de FDN358P
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
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| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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