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Soporte superficial Micro3™/SOT-23 del P-canal 30 V 3A 1.25W del chip CI de IRLML5203TRPBF
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | Original |
| Certificación: | Original |
| Número de modelo: | IRLML5203TRPBF |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Tipo del FET: | P-canal | Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 30 V |
|---|---|---|---|
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 3A (TA) | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 98mOhm @ 3A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 2.5V @ 250µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 14 nC @ 10 V |
| Alta luz: | Chip CI de IRLML5203TRPBF,Canal IRLML5203TRPBF de P,microprocesador de circuito superficial del soporte de 3A 1.25W |
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Descripción de producto
Soporte superficial Micro3™/SOT-23 del P-canal 30 V 3A 1.25W del chip CI de IRLML5203TRPBF
Características de IRLML5203TRPBF
En-resistencia ultrabaja
MOSFET del P-canal
Soporte superficial
Disponible en cinta y carrete
Carga baja de la puerta
Sin plomo
RoHS obediente, Halógeno-libre
Cualidades de producto de IRLML5203TRPBF
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Producto
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IRLML5203TRPBF
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Tipo del FET
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P-canal
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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30 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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3A (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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98mOhm @ 3A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
|
2.5V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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14 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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510 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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1.25W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Micro3™/SOT-23
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Paquete/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número bajo del producto
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IRLML5203
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Clasificaciones ambientales y de la exportación de IRLML5203TRPBF
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Descripción de IRLML5203TRPBF
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan
técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - el bajo
en-resistencia por área del silicio. Esta ventaja proporciona
diseñador con un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en batería
y usos de la gestión de la carga.
Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín ha sido
incorporado en el paquete estándar SOT-23 para producir a
MOSFET del poder de HEXFET con la huella más pequeña de la industria.
Este paquete, doblado el Micro3TM, es ideal para los usos
donde impreso está el espacio de la placa de circuito en un premio. El punto bajo
perfil (<1>
ambientes de uso extremadamente finos tales como portátil
electrónica y tarjetas de PCMCIA. La resistencia termal y
la disipación de poder está la mejor disponible.
