• MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrado Ic Chip Dram 256mbit 84fbga paralelo de B
MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrado Ic Chip Dram 256mbit 84fbga paralelo de B

MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrado Ic Chip Dram 256mbit 84fbga paralelo de B

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: MT47H16M16BG-3IT: B

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

paquete: Cinta y carrete (TR) Situación del producto: Obsoleto
Tipo de la memoria: Volátil Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR2 Tamaño de la memoria: 256Mbit
Organización de la memoria: el 16M x 16 Interfaz de la memoria: Paralelo

Descripción de producto

MT47H16M16BG-3IT: Transistor Ic Chip Ic Dram 256mbit 84fbga paralelo de B

 

SDRAM - DDR2 la memoria IC 256Mbit es paralelo a 333 megaciclos 450 picosegundos 84-FBGA (8x14)

 

Especificaciones de MT47H16M16BG-3IT: B

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Circuitos integrados (ICs)
Memoria
Memoria
Mfr Micron Technology Inc.
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Situación del producto Obsoleto
Tipo de la memoria Volátil
Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria 256Mbit
Organización de la memoria el 16M x 16
Interfaz de la memoria Paralelo
Frecuencia de reloj 333 megaciclos
Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 450 picosegundos
Voltaje - fuente 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 95°C (TC)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 84-FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 84-FBGA (8x14)
Número bajo del producto MT47H16M16

 

 

 

Características de MT47H16M16BG-3IT: B

 

• Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
• entrada-salida JEDEC-estándar 1.8V (SSTL_18-compatible)
• Opción diferenciada del estroboscópico de los datos (DQS, DQS #)
• arquitectura del prefetch 4n-bit
• Opción duplicado del estroboscópico de la salida (RDQS) para x8
• DLL para alinear transiciones de DQ y de DQS con las CK
• 4 bancos internos para la operación concurrente
• Estado latente programable de CAS (CL)
• Estado latente aditivo fijado de CAS (AL)
• ESCRIBA el estado latente = estado latente LEÍDO - 1 tCK
• Longitudes estalladas a elección (BL): 4 o 8
• Fuerza ajustable de la impulsión de la dato-salida
• 64ms, ciclo 8.192 restaurar
• terminación del En-dado (ODT)
• Opción industrial de la temperatura (las TIC)
• Opción automotriz de la temperatura (EN)
• RoHS obediente
• Especificación de la inquietud del reloj de las ayudas JEDEC
 
Temperatura automotriz de MT47H16M16BG-3IT: B
 
La opción automotriz de la temperatura (EN), si está ofrecido, tiene dos requisitos simultáneos: la temperatura ambiente que rodea el dispositivo no puede ser menos que – 40°C o mayor que +105°C, y la temperatura de caso no puede ser menos que – 40°C o mayor que las especificaciones de +105°C. JEDEC requieren la frecuencia de actualización doblar cuando el TC excede +85°C; esto también requiere el uso del uno mismo de alta temperatura restaurar la opción. Además, la resistencia de ODT y la impedancia de la entrada-salida deben ser reducidas la capacidad normal cuando el TC es < 0=""> +85°C.
 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de MT47H16M16BG-3IT: B

 

 

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 3 (168 horas)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0024

 

 

 

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