• F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Circuito integrado IC Chip Igbt Módulos
F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Circuito integrado IC Chip Igbt Módulos

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Circuito integrado IC Chip Igbt Módulos

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: F450R07W1H3B11ABOMA1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T, L/C
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Mfr: Infineon Technologies Serie: EasyPACK™
Paquete: Bandeja Situación del producto: Activo
Tipo de IGBT: Parada de trinchera Configuración: Inversor lleno del puente
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 650V Actual - colector (Ic) (máximo): 55 A
Alta luz:

F450R07W1H3B11ABOMA1

,

módulos IC Chip Igbt

,

circuito integrado IC Chip 650V

Descripción de producto

F450R07W1H3B11ABOMA1 Circuito integrado IC Chip Igbt Módulos

 

Módulo IGBT Inversor de puente completo de parada de campo de trinchera 650 V 55 A 200 W Módulo de montaje en chasis

 

Especificaciones de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos semiconductores discretos
transistores
IGBT
Módulos IGBT
Fabricante Tecnologías de Infineon
Serie EasyPACK™
Paquete Bandeja
Estado del producto Activo
Tipo de IGBT Parada de trinchera
Configuración Inversor de puente completo
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) 650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 55A
Potencia - Máx. 200W
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic 1,85 V a 15 V, 25 A
Corriente: corte del colector (máx.) 50 µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 3,25 nF a 25 V
Aporte Estándar
Termistor NTC
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en chasis
Paquete / Caja Módulo
Paquete de dispositivo del proveedor Módulo
Número de producto base F450R07

 

Caracteristicas deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Mayor capacidad de voltaje de bloqueo a 650 V
• IGBT H3 de alta velocidad
• Diseño de baja inductividad
• Pérdidas de conmutación bajas
• VCEsat bajo
• 2,5 kV CA 1 min Aislamiento
• Altas distancias de fuga y despeje
• Tecnología de contacto PressFIT
• RoHS
• Montaje robusto gracias al montaje integrado
abrazaderas

 

Aplicaciones deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Aplicaciones Automotrices
• Aplicación de conmutación de alta frecuencia
• Convertidor CC/CC
• Inversores Auxiliares
• Vehículos Eléctricos Híbridos (H)EV
• Calentamiento y soldadura inductivos
 

Clasificaciones ambientales y de exportación deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Circuito integrado IC Chip Igbt Módulos 0



 

 

 

 

 

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