• PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904
PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904

PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: MMBT3904

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Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100.000
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Información detallada

Actual - colector (Ic) (máximo): 200 mA Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 40 V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Actual - atajo del colector (máximo): 50nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Poder - máximo: 300 mW
Frecuencia - transición: 250MHz Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Descripción de producto

PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904
 
Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 200 mA 250MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
Especificaciones de MMBT3904
 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos de semiconductor discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Solos transistores bipolares
Mfr SEMICONDUCTOR DE ANBON (INTERNACIONAL) LIMITADO
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Corte la cinta (los CT)
Situación del producto Activo
Tipo del transistor NPN
Actual - colector (Ic) (máximo) 200 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 40 V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Actual - atajo del colector (máximo) 50nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Poder - máximo 300 mW
Frecuencia - transición 250MHz
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Número bajo del producto MMBT390

 
Características de MMBT3904

 
• Alto voltaje del colector-emitterbreakdien. (BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
• El pequeño transistor del interruptor de la carga con alta ganancia y la saturación baja, se diseña para el amplificador de fines generales y los usos que cambian en la corriente de colector.
• Capaz de la disipación de poder 225mW.
• Las piezas sin plomo para el socio verde, exceden estándares ambientales de MIL-STD-19500/228
• Sufijo “- H” indica la parte Halógeno-libre, ex. MMBT3904-H.

Clasificaciones ambientales y de la exportación de MMBT3904
 

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
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