• NTTFS4C10NTWG Condensador de microprocesador de tantalio Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn
NTTFS4C10NTWG Condensador de microprocesador de tantalio Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn

NTTFS4C10NTWG Condensador de microprocesador de tantalio Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: NTTFS4C10NTWG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T, L/C
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Situación del producto: Activo Tipo del FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal) Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 8.2A (TA), 44A (Tc) Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 2.2V @ 250µA

Descripción de producto

NTTFS4C10NTWG Condensador de microprocesador de tantalio Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn

 

Canal N 30 V 8,2 A (Ta), 44 A (Tc) 790 mW (Ta), 23,6 W (Tc) Montaje en superficie 8-WDFN (3,3x3,3)

 

Especificaciones deNTTFS4C10NTWG

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos semiconductores discretos
transistores
FET, MOSFET
FET individuales, MOSFET
Fabricante onsemi
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Digi-Reel®
Estado del producto Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 7,4 mOhmios a 30 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2,2 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18,6 nC a 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 993 pF a 15 V
Función FET -
Disipación de energía (máx.) 790 mW (Ta), 23,6 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor 8-WDFN (3,3x3,3)
Paquete / Caja 8-PowerWDFN
Número de producto base NTTFS4

 

Caracteristicas deNTTFS4C10NTWG

 
• Bajo RDS (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
• Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador
• Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas de conmutación
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y cumplen con RoHS
 

Aplicaciones deNTTFS4C10NTWG

 
• Convertidores CC−CC
• Interruptor de carga de energía
• Gestión de la batería del portátil
 

Clasificaciones ambientales y de exportación deNTTFS4C10NTWG

 
ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

NTTFS4C10NTWG Condensador de microprocesador de tantalio Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn 0

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. NTTFS4C10NTWG Condensador de microprocesador de tantalio Mosfet N-Ch 30v 8.2a/44a 8wdfn ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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