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Tantalio Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | NVMFS5C430NWFAFT1G |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Situación del producto: | Activo | Tipo del FET: | Canal N |
|---|---|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) | Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 40 V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 35A (TA), 185A (Tc) | Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 1.7mOhm @ 50A, 10V | Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 3.5V @ 250µA |
Descripción de producto
Tantalio Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G
Canal N 40 V 35A (TA), 185A (Tc) 3.8W (TA), 106W (Tc) soporte 5-DFN (5x6) (8-SOFL) de la superficie
Especificaciones de NVMFS5C430NWFAFT1G
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Productos de semiconductor discretos |
| Transistores | |
| FETs, MOSFETs | |
| Solos FETs, MOSFETs | |
| Mfr | onsemi |
| Serie | Automotriz, AEC-Q101 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Corte la cinta (los CT) | |
| Situación del producto | Activo |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 40 V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 35A (TA), 185A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1.7mOhm @ 50A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3300 PF @ 25 V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 3.8W (TA), 106W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquete/caso | 8-PowerTDFN, 5 ventajas |
| Número bajo del producto | NVMFS5 |
CARACTERÍSTICAS de NVMFS5C430NWFAFT1G
• Pequeña huella (5x6 milímetro) para el diseño compacto
• RDS bajo (encendido) para minimizar pérdidas de la conducción
• QG bajo y capacitancia para minimizar al conductor Losses
• Opción mojable del lado del − de NVMFS5C430NWF para la inspección óptica aumentada
• AEC−Q101 calificó y PPAP capaz
• Estos dispositivos son Pb−Free y son RoHS obediente
Usos de NVMFS5C430NWFAFT1G
1. El ambiente de uso entero afecta los valores de la resistencia termal mostrados, no son constantes y son solamente válidos para las condiciones particulares conocidas.
2. Surface−mounted en FR4 el tablero usando 650 mm2, 2 onzas. Cojín del Cu.
3. La corriente máxima para los pulsos mientras 1 segundo sea más alto pero es dependiente en la duración y el ciclo de trabajo del pulso.
Clasificaciones ambientales y de la exportación de NVMFS5C430NWFAFT1G
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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